差别
这里会显示出您选择的修订版和当前版本之间的差别。
| 两侧同时换到之前的修订记录 前一修订版 后一修订版 | 前一修订版 | ||
|
whatissic [2023/05/17 17:49] meiling |
whatissic [2023/05/24 11:04] (当前版本) meiling |
||
|---|---|---|---|
| 行 1: | 行 1: | ||
| ====== 什么叫SiC功率器件？ ====== | ====== 什么叫SiC功率器件？ ====== | ||
| + | https://www.rohm.com.cn/electronics-basics/sic | ||
| + | |||
| ## SiC半导体 | ## SiC半导体 | ||
| ### 1. SiC材料的物性和特征 | ### 1. SiC材料的物性和特征 | ||
| 行 6: | 行 8: | ||
| SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。 | SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。 | ||
| 用于功率器件制作，4H-SiC最为合适。 | 用于功率器件制作，4H-SiC最为合适。 | ||
| + | |||
| {{ ::1684316348198.png |}} | {{ ::1684316348198.png |}} | ||
| 行 32: | 行 35: | ||
| 不易发生热失控，所以可以放心地并联使用。 | 不易发生热失控，所以可以放心地并联使用。 | ||
| - | {{ ::what2_sic_all_2_.png|}} | + | {{ ::what2_sic_all_2_.png |}} |
| ### 3. SiC-SBD的恢复特性 | ### 3. SiC-SBD的恢复特性 | ||
| 行 41: | 行 44: | ||
| 而且，该瞬态电流基本上不随温度和正向电流而变化，所以不管何种环境下，都能够稳定地实现快速恢复。 | 而且，该瞬态电流基本上不随温度和正向电流而变化，所以不管何种环境下，都能够稳定地实现快速恢复。 | ||
| 另外，还可以降低由恢复电流引起的噪音，达到降噪的效果。 | 另外，还可以降低由恢复电流引起的噪音，达到降噪的效果。 | ||
| + | |||
| {{ ::what2_sic_all_3_.png |}} | {{ ::what2_sic_all_3_.png |}} | ||