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whatissic [2023/05/17 17:47]
meiling 		whatissic [2023/05/24 11:04] (当前版本)
meiling
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 ====== 什么叫SiC功率器件？ ====== ====== 什么叫SiC功率器件？ ======
 +https://​www.rohm.com.cn/​electronics-basics/​sic
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 ##  SiC半导体 ##  SiC半导体
 ###  1. SiC材料的物性和特征 ###  1. SiC材料的物性和特征
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 SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。 SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。
 用于功率器件制作，4H-SiC最为合适。 用于功率器件制作，4H-SiC最为合适。
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 {{ ::​1684316348198.png |}} {{ ::​1684316348198.png |}}
  
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 SiC-SBD的温度依存性与Si-FRD不同，温度越高，它的导通阻抗就会增加，从而VF值也增加。 SiC-SBD的温度依存性与Si-FRD不同，温度越高，它的导通阻抗就会增加，从而VF值也增加。
 不易发生热失控，所以可以放心地并联使用。 不易发生热失控，所以可以放心地并联使用。
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 {{ ::​what2_sic_all_2_.png |}} {{ ::​what2_sic_all_2_.png |}}
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 +###  3. SiC-SBD的恢复特性
 +Si的快速PN结二极管（FRD:​快速恢复二极管）在从正向切换到反向的瞬间会产生极大的瞬态电流，在此期间转移为反向偏压状态，从而产生很大的损耗。
 +这是因为正向通电时积聚在漂移层内的少数载流子不断地进行电传导直到消亡（该时间也称为积聚时间）。
 +正向电流越大，或者温度越高，恢复时间和恢复电流就越大，从而损耗也越大。
 +与此相反，SiC-SBD是不使用少数载流子进行电传导的多数载流子器件（单极性器件），因此原理上不会发生少数载流子积聚的现象。由于只产生使结电容放电程度的小电流，所以与Si-FRD相比，能够明显地减少损耗。
 +而且，该瞬态电流基本上不随温度和正向电流而变化，所以不管何种环境下，都能够稳定地实现快速恢复。
 +另外，还可以降低由恢复电流引起的噪音，达到降噪的效果。
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 +{{ ::​what2_sic_all_3_.png |}}