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tr_what7 [2023/05/17 11:08]
meiling 创建 		tr_what7 [2023/05/17 13:05] (当前版本)
meiling
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 通常，MOSFET的芯片尺寸（表面积）越小，总电荷量越小，但导通电阻值会变大。 通常，MOSFET的芯片尺寸（表面积）越小，总电荷量越小，但导通电阻值会变大。
 换句话说，开关损耗与工作时的功耗之间存在权衡关系。 换句话说，开关损耗与工作时的功耗之间存在权衡关系。
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 +----
  
 ####  动态输入特性 ####  动态输入特性
 +{{ ::​1684299774601.png |}}
 +该图为动态输入（Qg –VGS）的特性例。
 +在图中，常温下的漏极侧电源电压（VDD ）和漏极电流（ID ）是固定特性， VDD = 300 V ， ID = 30A 时所需的最小电荷量约为60nC。此时的栅源电压 （VGS ） 为6.5V。
 +实际上是在MOSFET完全导通的情况下，调整有权衡关系的导通电阻值，从而设定栅源电压（VGS ） 。
 +此时，可从图表读取设定电压和总栅极电荷（Qg）（例如， VGS = 10 V 时为85nC ， VGS = 15V 时为 130nC ）。