“总栅极电荷（Qg）是指为导通（驱动）MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。 有时也称为栅极总电荷。” 单位为库仑（C），总栅极电荷值较大，则导通MOSFET所需的电容充电时间变长，开关损耗增加。数值越小，开关损耗（切换损耗）越小，从而可实现高速开关。

如上所述，总栅极电荷的值越小，开关损耗越小。而且，导通电阻值越小，工作时的功耗越小。 然而，总栅极电荷和导通电阻的特性处于权衡关系。 通常，MOSFET的芯片尺寸（表面积）越小，总电荷量越小，但导通电阻值会变大。 换句话说，开关损耗与工作时的功耗之间存在权衡关系。

该图为动态输入（Qg –VGS）的特性例。 在图中，常温下的漏极侧电源电压（VDD ）和漏极电流（ID ）是固定特性， VDD = 300 V ， ID = 30A 时所需的最小电荷量约为60nC。此时的栅源电压 （VGS ） 为6.5V。 实际上是在MOSFET完全导通的情况下，调整有权衡关系的导通电阻值，从而设定栅源电压（VGS ） 。 此时，可从图表读取设定电压和总栅极电荷（Qg）（例如， VGS = 10 V 时为85nC ， VGS = 15V 时为 130nC ）。