MOSFET工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻 （RDS(ON)）。 数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。

晶体管的消耗功率用集电极饱和电压 （VCE(sat)） 乘以集电极电流（IC）表示。

（集电极损耗PC））＝（集电极饱和电压VCE(sat) ）x（集电极电流IC） MOSFET的消耗功率是用漏极源极间导通电阻 （RDS(ON)） 计算。 MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的导通电阻乘以漏极电流（ID)的平方表示。 （功率PD）＝（导通电阻RDS(ON) ） x （漏极电流ID）2 此功率将变成热量散发出去。 MOSFET的导通电阻一般在Ω极以下，与一般的晶体管相比，消耗功率小。即发热小，散热对策简单。