差别
这里会显示出您选择的修订版和当前版本之间的差别。
| 两侧同时换到之前的修订记录 前一修订版 后一修订版 | 前一修订版 | ||
|
tr_what6 [2023/05/17 09:56] meiling |
tr_what6 [2023/05/17 11:04] (当前版本) meiling |
||
|---|---|---|---|
| 行 1: | 行 1: | ||
| - | ## 导通电阻 | + | ====== 导通电阻 ====== |
| - | ### 何谓导通电阻？ | + | |
| - | MOSFET工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻 （RDS(ON)）。 | + | |
| - | 数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。 | + | |
| + | ===== 何谓导通电阻？ ===== | ||
| - | #### 关于导通电阻的电气特性 | + | MOSFET工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻 （RDS(ON)）。数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。 |
| ---- | ---- | ||
| + | #### 关于导通电阻的电气特性 | ||
| 晶体管的消耗功率用集电极饱和电压 （VCE(sat)） 乘以集电极电流（IC）表示。 | 晶体管的消耗功率用集电极饱和电压 （VCE(sat)） 乘以集电极电流（IC）表示。 | ||
| 行 23: | 行 22: | ||
| 如左上图所示，栅极源极间电压越高，导通电阻越小。另外，栅极源极间电压相同的条件下，导通电阻因电流不同而不同。计算功率损耗时，需要考虑栅极源极间电压和漏极电流，选择适合的导通电阻。另外，如右上图所示，导通电阻因温度变化而变化，因此需要注意这一特性。 | 如左上图所示，栅极源极间电压越高，导通电阻越小。另外，栅极源极间电压相同的条件下，导通电阻因电流不同而不同。计算功率损耗时，需要考虑栅极源极间电压和漏极电流，选择适合的导通电阻。另外，如右上图所示，导通电阻因温度变化而变化，因此需要注意这一特性。 | ||
| - | 导通电阻比较 | ||
| ---- | ---- | ||
| + | #### 导通电阻比较 | ||
| + | 一般MOSFET的芯片尺寸（表面面积）越大，导通电阻越小。 | ||
| + | 下图显示了不同尺寸的小型封装条件下，罗姆最小导通电阻值的比较。 | ||
| + | 封装尺寸越大可搭载的芯片尺寸就越大，因此导通电阻越小。 | ||
| + | 罗姆针对各种不同的封装尺寸，备有低导通电阻的产品。 | ||
| + | 选择更大尺寸的封装，导通电阻会更小。 | ||
| + | {{ ::1684292555800.png |}} | ||
| + | |||
| + | 各封装的搜索页请点这里 | ||
| + | |||
| + | * [[https://www.rohm.com.cn/products/mosfets?PS_PackageCommonCode=DFN0604-3|DFN0604 (0.6x0.4mm)]] | ||
| + | |||
| + | * [[https://www.rohm.com.cn/products/mosfets?PS_PackageCommonCode=DFN1006-3|DFN1006 (1.0x0.6mm)]] | ||
| + | * [[https://www.rohm.com.cn/products/mosfets?PS_PackageCommonCode=DFN2020-8S|DFN2020 (2.0x2.0mm)]] | ||