功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。

功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的静电容量、Cds根据内置二极管的接合容量决定。

一般而言MOSFET规格书上记载的是表1中的Ciss/Coss/Crss三类。

容量特性如图2所示，对DS (漏极、源极) 间电压VDS存在依赖性。VDS大则容量值小。

实测例见图(1) ~ (3)所示

关于容量特性的温度依存性几乎没有差异。