差别
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tr_what5 [2023/05/17 09:43] meiling [关于MOSFET的开关及其温度特性] |
tr_what5 [2023/05/17 09:46] (当前版本) meiling |
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| 行 30: | 行 30: | ||
| ### 关于MOSFET的开关及其温度特性 | ### 关于MOSFET的开关及其温度特性 | ||
| #### 关于MOSFET的开关时间 | #### 关于MOSFET的开关时间 | ||
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| + | ---- | ||
| 栅极电压ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。这个延迟时间为开关时间。开关时间如表1所示种类，一般而言，规格书上记载td(on)/ tr/ td(off)/ tf。 | 栅极电压ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。这个延迟时间为开关时间。开关时间如表1所示种类，一般而言，规格书上记载td(on)/ tr/ td(off)/ tf。 | ||
| 行 38: | 行 40: | ||
| #### 温度特性 | #### 温度特性 | ||
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| + | ---- | ||
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| 实测例如图3(1)~(4)所示。 | 实测例如图3(1)~(4)所示。 | ||
| 温度上升的同时开关时间略微增加，但是100°C上升时增加10%成左右，几乎没有开关特性的温度依存性。 | 温度上升的同时开关时间略微增加，但是100°C上升时增加10%成左右，几乎没有开关特性的温度依存性。 | ||
| 行 43: | 行 48: | ||
| 图3: 开关温度特性 | 图3: 开关温度特性 | ||
| {{ ::all_what5_tr_7_.png |}} | {{ ::all_what5_tr_7_.png |}} | ||
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| + | ### ID-VGS特性和温度特性 | ||
| + | ID-VGS特性和界限值温度特性的实测例如图1、2所示。 | ||
| + | 如图1，为了通过绝大部分电流，需要比较大的栅极电压。 | ||
| + | 表1所记载的机型，其规格书上的界限值为2.5V以下，但是为4V驱动产品。 | ||
| + | 使用时请输入使其充分开启的栅极电压。 | ||
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| + | 如图2，界限值随温度而下降。 | ||
| + | 通过观察界限值电压变化，能够计算元件的通道温度。 | ||
| + | {{ ::all_what5_tr_8_.png |}} | ||