**这是本文档旧的修订版！**
数字晶体管的原理
选定方法
①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1
②输入电阻：R1是±30% E-B间的电阻：R2/R1=±20%
③VBE是0.55~0.75V
数字晶体管具有下面的关系式。
■数字晶体管直流电流增益率的关系式
GI：数字晶体管的直流电流增益率
GI=IO/Iin
hFE=IC/IB
IO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE/R2
电压关系式 VIN=VR1+VBE
■集电极电流关系式
∴ IC= hFE×1) ・・・①
※这里所说的hFE是VCE=5V、IC=1mA时的值，不是饱和状态。
作为开关使用时，需要饱和状态的电流比率IC/IB=20/1
∴ IC= 20×2)・・・②
将式子①的hFE替换成20/1。
而且，如果在考虑偏差的基础上计算 将R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。 根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。
∴ Iomax≦203)
数字晶体管的型号说明
IO和IC的区别
IC: 能够通过晶体管的电流的最大理论值
IO: 能够作为数字晶体管使用的电流的最大值
解说
DTA/C系列为例，构成数字晶体管的个别晶体管能流过100mA电流。
用IC=100mA定义。个别晶体管连接电阻R1、R2，则成为数字晶体管。
此数字晶体管流过IC=100mA时，基极电流IB需要相对应的电流値，其结果需要高的输入电压VIN。
根据绝对最大额定值限制，由输入电阻R1的功率许容值（封装功率）决定输入电压VIN(max)。电流IC=100mA流过时，可能超过这个额定值，在不超过VIN(max)条件下，数字晶体管中流过的电流值定义为IO。
如您所知，绝对最大额定值被定义为“不能同时提供2项以上”，仅用IC标记没有问题，但结合客户实际使用状态，合并标记为IO。
因此电路设计探讨中此IO即为绝对最大额定值。
GI和hFE的区别
hFE: 作为晶体管的直流电流增幅率
GI: 作为数字晶体管的直流电流增幅率
解说
GI和hFE都表示发射极接地直流电流放大率。 数字晶体管是指普通晶体管上连接2个电阻器的晶体管。 直流电流放大率为 输出电流/输入电流 ，因此不因输入电阻R1，放大率下降。仅有输入电阻R1的类型 放大率表示为hFE，与个别晶体管hFE相等。 如果在E-B间附加电阻R2，输入电流则分为流过个别晶体管的电流和流过E-B间电阻R2的电流。 因此放大率比单体时下降。此值称为GI，用以区分。
关于VI(on)和VI(off)的区别
VI(on)、VI(off)容易被混淆
VI(on): 数字晶体管为保持ON状态的最低电压、定义VI(on)为min
错误观点
1：由0开始依次加入输入电压。
2：达到1.8V时，数字晶体管启动。
3：因在规格书规定的3V(min) 以下，故判断为不合格。
正确观点
A：首先为了启动数字晶体管，加入足够的输入电压Vin(如10V)
B：渐渐降低电压，到规格书规定的3V时停止。 因仍保持ON状态，故该产品为合格。
C：如果继续降低基极电压，不能完全保持ON状态，而向OFF状态变化。 因这一变化点在3V以下，故产品为合格。
关于数字晶体管的温度特性
根据环境温度、VBE、hFE、R1、R2变化。
hFE的温度变化率约为0.5％/ºC
VBE的温度系数约为－2mV/ºC(-1.8 to -2.4mV/ºC的范围有偏差)
R1的温度变化率，如下图表。
关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域(数字晶体管的情况)
数字晶体管的输出电压-输出电流特性，按以下测定方法测定。
IO（低电流区域）条件下，个别晶体管基极没有电流流过。
因此低电流区域输出电压 (VO)[VCE(sat)]上升。
测定方法 DTC114EKA 的场合 用IO/Ii=20/1测定。
Ii=IB+IR2、(IR2=VBE/10k=0.65V/10k=65μA)
IB=Ii-IR2=Ii-65μA 即Ii在65µA以下时，IB没有电流流过，VO [VCE(sat)]上升。
因此，在低电流区域不能测定VO。
