①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1

②输入电阻：R1是±30% E-B间的电阻：R2/R1=±20%

③VBE是0.55~0.75V

数字晶体管具有下面的关系式。

■数字晶体管直流电流增益率的关系式

GI：数字晶体管的直流电流增益率

GI=IO/Iin

hFE=IC/IB

IO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE/R2

电压关系式 VIN=VR1+VBE

■集电极电流关系式

∴ IC= hFE×¹⁾ ・・・①

※这里所说的hFE是VCE=5V、IC=1mA时的值，不是饱和状态。

作为开关使用时，需要饱和状态的电流比率IC/IB=20/1

∴ IC= 20ײ⁾・・・②

将式子①的hFE替换成20/1。

而且，如果在考虑偏差的基础上计算 将R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。 根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。

∴ Iomax≦20³⁾

IC: 能够通过晶体管的电流的最大理论值

IO: 能够作为数字晶体管使用的电流的最大值

解说

DTA/C系列为例，构成数字晶体管的个别晶体管能流过100mA电流。

用IC=100mA定义。个别晶体管连接电阻R1、R2，则成为数字晶体管。

此数字晶体管流过IC=100mA时，基极电流IB需要相对应的电流値，其结果需要高的输入电压VIN。

根据绝对最大额定值限制，由输入电阻R1的功率许容值（封装功率）决定输入电压VIN(max)。电流IC=100mA流过时，可能超过这个额定值，在不超过VIN(max)条件下，数字晶体管中流过的电流值定义为IO。

如您所知，绝对最大额定值被定义为“不能同时提供2项以上”，仅用IC标记没有问题，但结合客户实际使用状态，合并标记为IO。

因此电路设计探讨中此IO即为绝对最大额定值。

hFE: 作为晶体管的直流电流增幅率

GI: 作为数字晶体管的直流电流增幅率

解说

GI和hFE都表示发射极接地直流电流放大率。 数字晶体管是指普通晶体管上连接2个电阻器的晶体管。 直流电流放大率为 输出电流/输入电流 ，因此不因输入电阻R1，放大率下降。仅有输入电阻R1的类型 放大率表示为hFE，与个别晶体管hFE相等。 如果在E-B间附加电阻R2，输入电流则分为流过个别晶体管的电流和流过E-B间电阻R2的电流。 因此放大率比单体时下降。此值称为GI，用以区分。