1、不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的

2、NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。

也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。

3、逆向晶体管有如下特点。

• hFE低（正向约10%以下）
• 耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)

↑通用TR的情况，除此之外，还有5V以下 (突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。)

• VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化

定义：是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时，结温Tj为绝对最大额定值限定的温度(Tj＝150°C)时的功率。

这里，PC、Ta、△Tx、Px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出，但是只有Tj不能直接得出。因此，如下列出使用VBE的测试方法。

VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。