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tr_what3 [2023/05/16 16:46]
meiling 		tr_what3 [2023/05/16 16:50] (当前版本)
meiling [fT：增益带宽积、截止频率]
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 VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。 VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。
-{{ ::​tr_what3_jp_5_.png |}} +{{ ::​tr_what3_jp_5_.png |}}图1. 热电阻测量电路
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-图1. 热电阻测量电路 +
-== 标题 H5 ==+
  
 由此，通过测定VBE，可以推测结温。 由此，通过测定VBE，可以推测结温。
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 因此，根据由输入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的结温。 因此，根据由输入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的结温。
 {{ ::​tr_what3_cn_6_.png |}} {{ ::​tr_what3_cn_6_.png |}}
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 图2. 进度表 图2. 进度表
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 +###  fT：增益带宽积、截止频率
 +fT：增益带宽积指晶体管能够动作的极限频率。
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 +所谓极限，即基极电流对集电极电流的比为1（即hFE=1）的情况。
 +{{ ::​tr_what3_cn_7_.png |}}
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 +提高基极输入频率，hFE变低。
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 +这时，hFE为1时的频率叫做fT（增益带宽积）。
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 +fT指在该频率下能够工作的极限值。
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 +但是，实际使用时能够动作的只有fT值的1/​5 to 1/​10左右。
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 +
 +测定条件如下
 +
 +f： 根据测定装置而定。为测定的标准频率。
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 +VCE：任意设定。我公司为一般值。
 +
 +IC：任意设定。我公司为一般值。