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tr_what3 [2023/05/16 16:37]
meiling 		tr_what3 [2023/05/16 16:50] (当前版本)
meiling [fT：增益带宽积、截止频率]
行 9: 行 9:
 也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。 也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。
 {{ ::​1684226121934.png |}} {{ ::​1684226121934.png |}}
 +
 +3、逆向晶体管有如下特点。
 +  * hFE低（正向约10%以下）
 +  * 耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)
 +↑通用TR的情况，除此之外，还有5V以下
 +(突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。)
 +  * VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化
 +
 +###  关于封装功率容许功
 +定义：是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时，结温Tj为绝对最大额定值限定的温度(Tj＝150°C)时的功率。
 +{{ ::​tr_what3_cn_4_.png |}}
 +
 +这里，PC、Ta、△Tx、Px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出，但是只有Tj不能直接得出。因此，如下列出使用VBE的测试方法。
 +
 +VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。
 +{{ ::​tr_what3_jp_5_.png |}}图1. 热电阻测量电路
 +
 +由此，通过测定VBE，可以推测结温。
 +
 +通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：PC(max)。
 +
 +(假设1W晶体管的情况下，输入条件为VCB=10V IE=100mA)
 +
 +如图2:
 +  * 测定VBE的初始值VBE1
 +  * 对晶体管输入功率，使PN结热饱和
 +  * VBE的后续值：测定VBE2
 +从这个结果得出△VBE=VBE2-VBE1。
 +
 +这里，硅晶体管根据温度具有一定的温度系数。约为ー2.2mV/​ºC。
 +（达林顿晶体管为ー4.4mV/​ºC）
 +
 +因此，根据由输入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的结温。
 +{{ ::​tr_what3_cn_6_.png |}}
 +图2. 进度表
 +
 +###  fT：增益带宽积、截止频率
 +fT：增益带宽积指晶体管能够动作的极限频率。
 +
 +所谓极限，即基极电流对集电极电流的比为1（即hFE=1）的情况。
 +{{ ::​tr_what3_cn_7_.png |}}
 +
 +提高基极输入频率，hFE变低。
 +
 +这时，hFE为1时的频率叫做fT（增益带宽积）。
 +
 +fT指在该频率下能够工作的极限值。
 +
 +但是，实际使用时能够动作的只有fT值的1/​5 to 1/​10左右。
 +
 +
 +测定条件如下
 +
 +f： 根据测定装置而定。为测定的标准频率。
 +
 +VCE：任意设定。我公司为一般值。
 +
 +IC：任意设定。我公司为一般值。