使用时即使是瞬间超过绝对最大额定值也不行，那样有可能出现击穿而损坏晶体管，或者造成hFE下降等性能退化。单发脉冲情况下可使用的范围要确认安全工作区（SOA）。连续脉冲情况下，需要进行功率计算和元件温度计算。具体的判断步骤请参考｢判断能否使用的方法｣、｢元件温度计算方法｣。 (另外，请同时参考与“降低额定值”相关的内容。）

基极电流的最大额定值是集电极电流最大额定值的1/3（达林顿连接晶体管是1/10）。

以2SD2656为例。 因为集电极电流的最大额定值在DC情况下是1A，在脉冲情况下是2A，所以基极电流的最大额定值就是DC情况下为333mA，脉冲情况下为666mA。 对于数字晶体管，如果遵照规格说明书上记载的Vin的额定值，那就以输入电流保持在额定值内为前提来设定Vin的额定值。

对于NPN晶体管，发射极接地，给集电极加上正电压时的耐压是规格说明书上记载的VCEO。 （对于PNP晶体管，集电极接地，给发射极加上正电压时的耐压是VCEO。） 与此相反，（NPN晶体管集电极接地，给发射极加上正电压时）的耐压与发射极-基极间的耐压大致相等。发射极-基极间的耐压通常为5-7V左右，所以建议使用时要使集电极-发射极间的反向电压保持在5V以下（如果给集电极-发射极间加上接近反向耐压值的电压，就有可能发生hFE下降等性能退化的情况）。集电极-发射极间的反向电压如果在5V以下，就只有漏电流大小的电流通过。

数字晶体管也如上所述，可对集电极-发射极间（OUT-GND间）的反方向施加最大5V的电压，GND-IN中有电阻的情况，电流会通过电阻流过。

数字晶体管是双极晶体管内增添了电阻器的一种晶体管。

关于电阻R1

如果将IC等的电压输出直接加到双极晶体管的输入（基极）端，利用电压控制使晶体管工作，它的工作状态是不稳定的。 IC与基极引脚间接入电阻（输入电阻）用电流控制使晶体管工作，就可以使它的工作状态稳定。 （这是因为输出电流对输入电压呈指数函数变化，但对输入电流呈线性变化。） 数字晶体管中内置的R1就是这种输入电阻。