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 **关于电阻R2**
 电阻R2的作用是吸收漏电流，防止误动作。电阻R2的作用是降低从输入端进来的漏电流和噪声等，防止晶体管误动作。
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 如果输入电流很小，它就完全进入地线。但是，如果输入电流大，部分输入电流开始进入晶体管的基极，晶体管导通。
-如果输入电流小，它就完全进入地线，晶体管不导通。（没有漏电流等引起的误动作）	如果输入电流大，部分输入电流就进入基极，晶体管开始导通。
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-（处于通常的导通状态）
+如果输入电流小，它就完全进入地线，晶体管不导通。（没有漏电流等引起的误动作）
+如果输入电流大，部分输入电流就进入基极，晶体管开始导通。（处于通常的导通状态）
+###  进入数字晶体管内置晶体管的基极电流怎样计算？
+以DTC114EKA为例做如下说明。
+数字晶体管工作时，为使内置晶体管的发射极-基极间（EB间）的正方向有基极电流通过，EB 间需要加正向电压（25℃下约为0.7V）。由于数字晶体管内置晶体管的EB 间与电阻R2并联，所以R2也同样外加了0.7V电压。从而可知，R2上有IR2= 0.7V/10KΩ=70μA的电流通过。
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+当输入电压Vin为5V时，IN 引脚的电位就是 5V，因为内置晶体管的EB 间电位差是0.7V，所以电阻R1两端的电压是 5V-0.7V = 4.3V 。
+从而可知，R1上有IR1= 4.3V/10KΩ = 430uA的电流通过。
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+从而可知，内置晶体管的基极有430μA-70μA= 360μA的电流通过。
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+这样计算就可以计算出流过内置晶体管的基极电流。要使数字晶体管充分导通（ = 降低输出电压Vo（on）) 就要调整输出电流 Io 和输入电压Vin，以使输出电流 Io 达到进入内置晶体管的基极电流的10～20倍以下。如果输入电压Vin 不够高，输出电流不够大，就要使用输入电阻R1小那种型号的数字晶体管。
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+温度为25℃时，发射极－基极间正向电压约为0.7V。温度变化时，温度每上升1℃该正向电压便减小约2.2mV。例如，50℃时约为0.7V- (50℃-25℃)×2.2mV= 0.645V。反之，温度降低到-40℃时约为0.7+ (25℃- (-40℃))×2.2mV= 0.843V。
+请注意，就是这样，正向电压VF也受温度影响而变化。而且，25℃时的正向电压无论如何也就大致为0.7V，有±0.1上下的偏差。
+对于数字晶体管，内置电阻R1、R2有±30％上下的偏差，所以要考虑并计算电阻值为最不利的情况。
+由于正向电压和电阻值都有偏差，所以可以认为上述计算方法得到的结果无论如何也就是大致的基准值。
+###  瞬间有超过额定值电流的电流通过，如何判断能否使用呢？
+每种产品都有SOA（Safe Operating Area)，如果在此区域内那肯定能用。
+例如：VDS=20V、Idpeak=2A、Pw=100μs 时 ⇒　Pw=100μs 的区域内，可以使用。
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+###  环境温度变化时必须注意哪些问题？
+容许损耗（Pc)需要降低（降低额定值），以便与环境温度（Ta）相适应。请根据下面的特性曲线使晶体管的消耗功率降低到与环境温度相适应的程度。
+也有必要降低安全工作区（SOA)的额定值，具体情况请参考「为了放心使用ROHM的晶体管-TR能否使用的判断方法」。
+而且，电特性（ 以双极晶体管/数字晶体管的输入电压(VBE， VI(on)， VI(off) )和 hFE， GI为例）受温度影响会有变化。所以，设计时要参考电特性曲线，以保证温度变化时也能正常工作。MOSFET也要这样考虑。
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+###  晶体管/二极管产品有MSDS（SDS）吗？
+由于晶体管、二极管产品属于固体，因此MSDS的制作及提供在本产品中不适用。
+###  关于晶体管的热电阻，可以认为相同封装的产品通道外热电阻都相同吗？
+小信号产品可以认为相同，没太大差异。
+但功率产品根据额定值不同，相同封装下热阻值却不同。