差别
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| 两侧同时换到之前的修订记录 前一修订版 后一修订版 | 前一修订版 | ||
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tr_what10 [2023/05/17 14:46] meiling |
tr_what10 [2023/05/17 16:56] (当前版本) meiling |
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| 行 7: | 行 7: | ||
| 而且，在超过最大额定电流时，有导致破坏的危险。通过与MOSFET Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2， 并缓慢降低Q1的栅极电压，可以缓慢地使RDS(on)变小，从而可以抑制浪涌电流。 | 而且，在超过最大额定电流时，有导致破坏的危险。通过与MOSFET Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2， 并缓慢降低Q1的栅极电压，可以缓慢地使RDS(on)变小，从而可以抑制浪涌电流。 | ||
| - | **负载开关等效电路图** | + | <WRAP centeralign> |
| + | === 负载开关等效电路图 === | ||
| + | |||
| + | |||
| + | </WRAP> | ||
| {{ ::tr_what8_cn_1_.png |}} | {{ ::tr_what8_cn_1_.png |}} | ||
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| ### 关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施 | ### 关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施 | ||