差别

这里会显示出您选择的修订版和当前版本之间的差别。

到此差别页面的链接

后一修订版 		前一修订版
tr_what10 [2023/05/17 14:40]
meiling 创建 		tr_what10 [2023/05/17 16:56] (当前版本)
meiling
行 6: 行 6:
 浪涌电流显著变大时，有可能会引起误动作和系统问题。 浪涌电流显著变大时，有可能会引起误动作和系统问题。
 而且，在超过最大额定电流时，有导致破坏的危险。通过与MOSFET Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2， 并缓慢降低Q1的栅极电压，可以缓慢地使RDS(on)变小，从而可以抑制浪涌电流。 而且，在超过最大额定电流时，有导致破坏的危险。通过与MOSFET Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2， 并缓慢降低Q1的栅极电压，可以缓慢地使RDS(on)变小，从而可以抑制浪涌电流。
 +
 +<WRAP centeralign>​
 +=== 负载开关等效电路图 ===
 +
 +
 +</​WRAP>​
 +
 +{{ ::​tr_what8_cn_1_.png |}}
 +
 +
 +###  关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施
 +**Nch MOSFET负载开关等效电路图**
 +
 +Nch MOSFET 负载开关：[[https://​www.rohm.com.cn/​products/​mosfets/​small-signal/​single-nch/​rsq020n03-product|RSQ020N03]]
 +
 +VIN=5V, IO=1A,​　Q1_1G=1V→12V
 +
 +  * Q2 OFF时，负载SWQ1 ON。（Q1的栅极电压设定在VO(VGSQ1)之上。）
 +  * Q2 ON时，负载SWQ1 OFF。
 +  * Q1 ON时，由于会流过浪涌电流，所以作为应对措施追加C2。
 +{{ ::​tr_what8_cn.gif |}}
 +
 +###  关于负载开关OFF时的逆电流
 +即使在负载开关Q1从ON到OFF时，由于存在输出侧负载容量CL，所以输出VO引脚的电压会残留一定时间。
 +输入VI侧比输出VO侧电压低时，由于MOSFET Q1的漏极、源极间存在寄生二极管，所以有时寄生二极管导通会发生从输出VO侧到输入VIN侧的逆电流。
 +
 +要注意，不要超过MOSFET Q1的额定电流值。
 +关于输入旁路电容器CIN的容量值，请在充分探讨负载侧条件、上升时间后再决定。
 +{{ ::​tr_what8_cn_4_.png |}}