负载开关
关于负载开关ON时的浪涌电流
负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时,向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。这种流过大电流的现象称作浪涌电流(Flash Current)。
浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确定,输入电压VIN变大时,电流也相应变大。 浪涌电流显著变大时,有可能会引起误动作和系统问题。 而且,在超过最大额定电流时,有导致破坏的危险。通过与MOSFET Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2, 并缓慢降低Q1的栅极电压,可以缓慢地使RDS(on)变小,从而可以抑制浪涌电流。
负载开关等效电路图
关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施
Nch MOSFET负载开关等效电路图
Nch MOSFET 负载开关:RSQ020N03
VIN=5V, IO=1A, Q1_1G=1V→12V
- Q2 OFF时,负载SWQ1 ON。(Q1的栅极电压设定在VO(VGSQ1)之上。)
- Q2 ON时,负载SWQ1 OFF。