1、不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的

2、NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。

也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。

3、逆向晶体管有如下特点。

• hFE低（正向约10%以下）
• 耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)

↑通用TR的情况，除此之外，还有5V以下 (突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。)

• VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化

定义：是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时，结温Tj为绝对最大额定值限定的温度(Tj＝150°C)时的功率。

这里，PC、Ta、△Tx、Px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出，但是只有Tj不能直接得出。因此，如下列出使用VBE的测试方法。

VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。 图1. 热电阻测量电路

由此，通过测定VBE，可以推测结温。

通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：PC(max)。

(假设1W晶体管的情况下，输入条件为VCB=10V IE=100mA)

如图2:

• 测定VBE的初始值VBE1
• 对晶体管输入功率，使PN结热饱和
• VBE的后续值：测定VBE2

从这个结果得出△VBE=VBE2-VBE1。

这里，硅晶体管根据温度具有一定的温度系数。约为ー2.2mV/ºC。 （达林顿晶体管为ー4.4mV/ºC）

因此，根据由输入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的结温。 图2. 进度表

fT：增益带宽积指晶体管能够动作的极限频率。

所谓极限，即基极电流对集电极电流的比为1（即hFE=1）的情况。

提高基极输入频率，hFE变低。

这时，hFE为1时的频率叫做fT（增益带宽积）。

fT指在该频率下能够工作的极限值。

但是，实际使用时能够动作的只有fT值的1/5 to 1/10左右。

测定条件如下

f： 根据测定装置而定。为测定的标准频率。

VCE：任意设定。我公司为一般值。

IC：任意设定。我公司为一般值。