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半导体存储器 [2023/05/23 13:29] meiling [各种存储器的特点] |
半导体存储器 [2023/05/24 13:23] (当前版本) meiling |
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| - | ## 何谓半导体存储器？ | + | ====== 何谓半导体存储器？ ====== |
| + | https://www.rohm.com.cn/electronics-basics/memory | ||
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| + | ## 一、何谓半导体存储器？ | ||
| 半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制，使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。 | 半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制，使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。 | ||
| 与磁盘和光盘装置等相比，具有 | 与磁盘和光盘装置等相比，具有 | ||
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| ### 半导体存储器的分类 | ### 半导体存储器的分类 | ||
| - | {{ ::what1_図1.jpg |}} | + | {{::what1_図1.jpg ?500|}} |
| * RAM (Random Access Memory) ： 可自由对存储内容进行读写。 | * RAM (Random Access Memory) ： 可自由对存储内容进行读写。 | ||
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| ### 各种存储器的特点 | ### 各种存储器的特点 | ||
| - | {{ ::1684808414520.png?500|}} | + | {{::1684808414520.png ?500|}} |
| - | ## 元器件原理＜DRAM＞ | + | ## 二、元器件原理＜DRAM＞ |
| ### 存储单元构成 | ### 存储单元构成 | ||
| 由1个晶体管、1个电容器构成 | 由1个晶体管、1个电容器构成 | ||
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| {{ ::memory_what2_02.jpg |}} | {{ ::memory_what2_02.jpg |}} | ||
| - | ## 元器件原理＜SRAM＞ | + | ## 三、元器件原理＜SRAM＞ |
| ### 存储单元构成 | ### 存储单元构成 | ||
| * 由6个晶体管单元构成 | * 由6个晶体管单元构成 | ||
| 行 57: | 行 60: | ||
| 通过触发器电路存储"1"、"0" | 通过触发器电路存储"1"、"0" | ||
| - | ## 元器件原理＜Mask ROM＞ | + | ## 四、元器件原理＜Mask ROM＞ |
| ### Mask ROM存储单元构成 | ### Mask ROM存储单元构成 | ||
| 高度集成化的NAND构成。（1个晶体管单元） | 高度集成化的NAND构成。（1个晶体管单元） | ||
| 行 75: | 行 78: | ||
| → 对Bit线施加电压，如果有电流流过，则判断为"1" | → 对Bit线施加电压，如果有电流流过，则判断为"1" | ||
| - | ## 元器件原理＜EEPROM＞ | + | ## 五、元器件原理＜EEPROM＞ |
| ### EEPROM存储单元构成 | ### EEPROM存储单元构成 | ||
| 由2个晶体管单元构成 | 由2个晶体管单元构成 | ||
| 行 86: | 行 89: | ||
| {{ ::memory_what5_03.jpg |}} | {{ ::memory_what5_03.jpg |}} | ||
| - | ## 元器件原理＜FLASH＞ | + | ## 六、元器件原理＜FLASH＞ |
| ### FLASH存储单元构成 | ### FLASH存储单元构成 | ||
| {{ ::memory_what6_cn_img_01.gif |}} | {{ ::memory_what6_cn_img_01.gif |}} | ||
| 行 96: | 行 99: | ||
| {{ ::memory_what6_cn_img_03.gif |}} | {{ ::memory_what6_cn_img_03.gif |}} | ||
| - | ## EEPROM接口的特点 | + | ## 七、EEPROM接口的特点 |
| ### 接口的选择方法 | ### 接口的选择方法 | ||
| EEPROM的常规接口有3个分别是Microwire和SPI与I2C。 | EEPROM的常规接口有3个分别是Microwire和SPI与I2C。 | ||