内容介绍
内容介绍
这一经过验证的参考设计概述了如何实现基于 SiC 的三级三相直流/交流 T 型逆变器级。50KHz 的较高开关频率减小了滤波器设计的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。通过使用可降低开关损耗的 SiC MOSFET，可确保实现高达 1000V 的更高直流总线电压和更低的开关损耗，从而达到 99% 的峰值效率。此设计可配置为两级或三级逆变器。该系统由单个 C2000 微控制器 (MCU) TMS320F28379D 进行控制，可在所有运行模式下为所有电源电子开关器件生成 PWM 波形。
特性
- 额定标称输入电压/最大输入电压：800V/1000VDC
- 在 400VAC 50/60Hz T 型连接时的最大输出功率为 10kW/10KVA
- 工作时的功率因数范围为 0.7 滞后至 0.7 超前
- 基于高压 (1200V) SiCMosFET 的全桥逆变器，峰值效率高达 99%
- 满载时的输出电流 THD 小于 2%
- 使用 AMC1301 进行隔离式电流检测，从而实现负载电流监测
- 用于驱动高压 SiC MOSFET 并具有增强型隔离功能的隔离式驱动器 ISO5852S，以及用于驱动中间 Si IGBT 的 UCC5320S
软硬件
元器件
AMC1311DWVR
2V 输入、精密电压检测增强型隔离式放大器
REF2033AIDDCR
3.3V Vref、低温漂、低功耗、双输出 Vref 和 Vref/2 电压基准
TLV9061IDCKR
适用于成本优化型应用的单通道、5.5V、10MHz、RRIO 运算放大器
OPA4340UA
四通道、单电源、轨至轨、低功耗运算放大器
LMT87QDCKRQ1
具有 -13.6mV/°C 增益的汽车类 ±2.7°C 2.7V 至 5.5V 模拟输出温度传感器
LMT87LPM
具有 -13.6mV/°C 增益的 ±2°C 2.7V 至 5.5V 模拟输出温度传感器
OPA340NA/250
单通道、单电源、轨至轨、低功耗运算放大器
OPA4350UA
四通道、单电源、轨至轨、高速、低噪声运算放大器
TPS22944DCKR
使能端高电平有效、具有电流限制的 5.5V、0.1A、500mΩ 负载开关
TLV1117LV33DCYR
1A 低压降稳压器
TLV70450DBVR
150mA、24V、超低 IQ、低压降 (LDO) 稳压器
TLV70433DBVT
150mA、24V、超低 IQ、低压降 (LDO) 稳压器
LM76003RNPR
3.5V 至 60V、3.5A 同步降压转换器
SN6505BDBVR
适用于隔离电源的低噪声、1A、420kHz 变压器驱动器
NDT3055L
N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，60V，4A，100mΩ
AMC1306M05DWVR
±50mV 输入、精密电流检测增强型隔离式调制器
CSD18534Q5A
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
PTH08080WAZT
2.25A 4.5V 至 18V 输入宽调节微型电源模块
C3M0075120D
通孔 N 通道 1200 V 30A（Tc） 113.6W（Tc） TO-247-3
C3M0060065D
通孔 N 通道 650 V 37A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
UCC21710QDWQ1
适用于 IGBT/SiC 且具有过流保护的汽车级 5.7kVrms 10A 单通道隔离式栅极驱动器
SN74LVC126APWR
具有三态输出的四通道 1.65V 至 3.6V 缓冲器
BC856A
PNP, 65V, 0.1A, SOT23
UCC14240DWNQ1
汽车类 2.0W、24Vin、25Vout、高密度、> 3kVRMS、隔离式直流/直流模块
UCC5320SCDWV
具有 UVLO（以 GND 为基准）或分离输出的 3k/5kVrms、2A/2A 单通道隔离式栅极驱动器
附件下载
Assembly drawing-TIDRVS5F.zip
Bill of materials (BOM)-TIDRVS4E.zip
Design Guide-ZHCU458I.pdf
Gerber file-TIDCEJ5F.zip
PCB layout-TIDRVS6F.zip
Schematic-TIDRVS3F.zip
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